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为满足信息技术发展的需要,在信息传输中起连接作用的关键元件-射频同轴连接器呈现向小型化、高频率、大功率和高可靠性发展的趋势,特别是通信站点用射频连接器,在电压驻波比、射频泄漏、功率容量等方面还有较高的要求。

近年来伴随着消费电子,通讯市场,航空航天与4G,5G技术的飞速发展,电子设备领域的需求有了很大增长.射频连接器作为电路或电子仪器之间的电连接和信号传输的基本组件,其设计制造水平,对电子工程及通讯技术的快速发展关系重大.由于全世界各类电子设备的更新换代及功能不断提升,市场对射频连接器的设计与制造提出了更高的要求。

射频同轴连接器（下称RF连接器）一般 被觉得是装接在电缆线上或安裝在仪器设备上的一种元器件，做为同轴电缆保护接地或分离出来的元器件。它归属于机电一体化商品。简易的讲它关键起公路桥梁功效。同其他电子元器件对比，RF连接器的发展历程较短。1930年出現的UHF连接器是开始的RF连接器。来到二次大战期内，因为急缺，伴随着雷达探测、广播电台和光纤通信的发展趋势，造成了N、C、BNC、TNC、等中小型系列产品，1959年后出現了SMA、SMB、SMC等微型化商品，1964年制订了英国规范MIL-C-39012《射频同轴连接器总规范》，此后，RF连接器刚开始向规范化、通用化、实用化方位发展趋势。

射频同轴电缆组件的射频和微波无源组件具有许多设计限制和性能指标。根据应用程序的功率要求，可以显著提高对材料和设计性能的要求。在高功率通信和雷达/干扰应用中，高水平要求同时进行有很高的功率水平。许多材料和技术无法承受这些应用所需的功率水平，因此须使用特殊的组件、材料和技术来满足这些端的应用要求。高水平的射频和微波功率是不可见的，难以检测，并且能够产生小范围内难以置信的高温。过强压力仅在部件故障或系统故障后检测到。这种情况在电信和航空航天应用中经常遇到，因为高功率水平的使用和暴露是满足这些应用的性能要求所需的。射频和微波功率速率水平高到足以损坏信号路径中的组件，这可能是设计不良、材料老化/疲劳甚至战略性电子攻击的结果。任何可能遇到高功率射频和微波能量的关键系统都须经过精心设计，并由高电位级别的元件进行加固。